시험모드 10문제
진행중
실제 시험을 보듯 모든 문제를 풀고 점수를 확인하는 모드입니다.
879812
13454
1. P형 기판을 갖는 MOS 용량 구조에서 게이트 금속 극판의 전압 VGS가 기판 전압 VBS 보다 큰 경우 VGS가 증가함에 따라 전계가 증가함으로써 실리콘 경계면에 전자가 모여 형성된 층은?
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1
축적층(accumulation layer)
-
2
공핍층(depletion layer)
-
3
반전층(inversion layer)
-
4
차단층(cut-off layer)
오류 내용 신고
13454
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[]
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exam
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P형 기판을 갖는 MOS 용량 구조에서 게이트 금속 극판의 전압 VGS가 기판 전압 VB... - 반도체설계산업기사 (2018년 4월 28일 기출문제) #공퀴즈 #닷컴