스터디모드 10문제 진행중

문제를 풀지않고 휴식하면서 학습할 수 있는 모드입니다.

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1. N형 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, MOSFET은 차단영역에 있지 않다고 가정한다)

  • 1
    MOSFET 드레인(drain)에 흐르는 전류량은 동일 조건에서 소자의 채널길이(channel length)가 작아지면 증가한다.

  • 2
    MOSFET 드레인(drain)에 흐르는 전류량은 온도에 영향을 받지 않는다.

  • 3
    MOSFET가 포화영역에서 동작할 때, 유효채널길이(effective channel length)는 드레인-소스(drain-source) 사이의 전압(VDS)에 따라서 변할 수 있다.

  • 4
    MOSFET의 문턱전압(threshold voltage)은 소스-바디(source-body) 사이의 전압(VSB)에 따라서 변할 수 있다.
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