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1. 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD)에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?

  • 1
    화학반응 또는 가스분해에 의해 가열된 기판 표면 위에 박막을 성장시키는 공정이다.

  • 2
    CVD는 인(P) 불순물이 섞인 이산화규소처럼 도핑된 SiO2의 층을 만드는 데 사용될 수 있다.

  • 3
    일반적으로 화학기상증착에 의해 생성된 실리콘 산화물막의 밀도와 기판에 대한 접합성은 열산화에 의해 생성된 것보다 우수하다.

  • 4
    반도체 웨이퍼 공정에 이산화실리콘, 질화실리콘 및 실리콘층을 추가하기 위해 널리 사용된다.
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