1. 반도체 공정에서 산화막 공정의 목적과 거리가 먼 것은?

  • 1
    표면 유전성(surface dielectric) 효과

  • 2
    표면 안정화(surface passivation) 효과

  • 3
    이온주입 및 불순물 확산공정에 대한 마스킹(selective masking) 효과

  • 4
    저온증착(Low Temperature Chemical Vapor Deposition) 효과
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